阻变存储器电学特性的研究

• 作者: 刘洪涛 刘若愚 许晓欣
• 来源期刊: 科技视界
• 关键词: RRAM 阻变存储器 电学特性
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 本刊视点
• 页码范围: 7-8
• 页数: 2页
• 字数: 2227字
• 语种: 中文

摘要

本文以Cu/HfOX/Pt作为RRAM的材料结构，以1T1R为基本操作单元，针对阻变存储器的电学特性展开研究，主要包括典型的I-V特性、均一性、疲劳特性以及保持特性的分析等。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘若愚	贵州大学微纳电子技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
2	许晓欣	贵州大学微纳电子技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	刘洪涛	贵州大学微纳电子技术重点实验室	1	0	0.0	0.0