缺陷对电荷俘获存储器写速度影响

• 作者: 代月花 徐建彬 汪家余 赵远洋
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 电荷俘获存储器 写速度 铪空位 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 053101-1-053101-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.053101

摘要

基于密度泛理论的第一性原理以及VASP软件,研究了电荷俘获存储器(CTM)中俘获层HfO2在不同缺陷下(3价氧空位(VO3)、4价氧空位(VO4)、铪空位(VHf)以及间隙掺杂氧原子(IO))对写速度的影响。对比计算了HfO2在不同缺陷下对电荷的俘获能、能带偏移值以及电荷俘获密度。计算结果表明： VO3, VO4与VHf为单性俘获, IO则是双性俘获, HfO2在VHf时俘获能最大,最有利于俘获电荷； VHf时能带偏移最小,电荷隧穿进入俘获层最容易,即隧穿时间最短；同时对电荷俘获密度进行对比,表明VHf对电荷的俘获密度最大,即电荷被俘获的概率最大。通过对CTM 的写操作分析以及计算结果可知, CTM俘获层m-HfO2在VHf时的写速度比其他缺陷时的写速度快。本文的研究将为提高CTM操作速度提供理论指导。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	代月花	安徽大学电子信息工程学院	34	113	6.0	8.0
2	赵远洋	安徽大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0
3	汪家余	安徽大学电子信息工程学院	4	6	2.0	2.0
4	徐建彬	安徽大学电子信息工程学院	2	3	1.0	1.0