选择性发射极晶体硅太阳电池的二维器件模拟及性能优化

• 作者: 杨江海 沈辉 艾斌 许欣翔 贾晓洁 邓幼俊
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 选择性发射极 PC2D器件模拟 参数优化 太阳电池
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 068801-1-068801-10
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.068801

摘要

利用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池(SE电池)进行了器件模拟和参数优化的研究.在对丝网印刷磷浆法制备的SE电池的实测典型电流-电压曲线实现完美拟合的基础上，全面系统地研究了栅线、基区、选择性发射区和背表面场层等的参数对电池性能的影响.模拟表明：基区少子寿命、前表面复合速度和背表面复合速度是对电池效率影响幅度最大的三个参数.在所研究的参数范围内，当基区少子寿命从50μs上升到600μs时，电池效率从18.53%上升到19.27%.低的前表面复合速度是使发射区方块电阻配比优化有意义的前提.要取得理想的电池效率，背表面复合速度需控制在500 cm/s以下.此外，对于不同的前表面复合速度，电池效率的最大值总是在50-90?/？的重掺区方阻、110-180?/？的轻掺区方阻的范围内取得.对不同的栅线数目，重掺区宽度与栅线间距之比为32%时，电池的效率最高.另外，在主栅结构保持较低面积比率的前提下，主栅数目的增加也可提高效率.最后，通过优化p型SE电池的效率可达到20.45%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许欣翔		1	6	1.0	1.0
2	杨江海		1	6	1.0	1.0