单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

• 作者: 唐欣月 姚秀伟 孙鉴波 张喜田 潘思明 高红
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO 纳米带 场效应管 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 197302-1-197302-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.197302

摘要

采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征。基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料；讨论了迁移率提高的可能原因。