GaAs纳米结点电子输运性质的第一性原理计算*

• 作者: 柳福提 程晓洪 程艳 陈向荣
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 电子输运 纳米结点 砷化镓
• 年，卷（期）: 2014,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 137303-1-137303-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.137303

摘要

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对GaAs团簇与两半无限Au(100)-3×3电极以顶位对顶位、顶位对空位、空位对顶位、空位对空位四种不同耦合形貌构成的Au-GaAs-Au纳米结点电子输运性质进行了理论计算.对结点在不同距离下的结构进行了几何优化,模拟了结点拉伸直至断裂的过程.计算结果得到四种构型结点在两极距离分别为1.389 nm,1.145 nm,1.145 nm,0.861 nm时,结构最稳定.对于各稳定结构, Ga-As键长分别为0.222 nm,0.235 nm,0.227 nm,0.235 nm,其平衡电导分别为2.33 G0,1.20 G0,1.90 G0,1.69 G0,结点具有很好的电子输运性质.在-1.2-1.2 V的电压范围内,所有结点的电流-电压都表现出近线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程艳	四川大学物理科学与技术学院	27	110	7.0	9.0
2	柳福提	宜宾学院物理与电子工程学院	61	100	5.0	7.0
8	程晓洪	宜宾学院物理与电子工程学院	49	90	4.0	7.0
9	陈向荣	四川大学物理科学与技术学院	21	103	6.0	9.0