表面态调控对GaN荧光光谱的影响

• 作者: 周楠 张庆瑜 梁红伟 石德权 胡北辰 苗春雨 郑强 郝胜智 马春雨
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN 表面态调控 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2014,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 137802-1-137802-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.137802

摘要

采用高阻本征GaN薄膜，通过H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控，研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响。研究发现， H3 PO4刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大，但显著增加可见荧光的强度；经SiOx Ny薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12-13倍，同时对可见荧光有明显增加。通过比较H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化的室温和低温荧光光谱，探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理。