V高掺杂量对ZnO（GGA+U）导电性能和吸收光谱影响的研究

• 作者: 侯清玉 吕致远 赵春旺
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: V高掺杂ZnO 电导率 吸收光谱 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 197102-1-197102-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.197102

摘要

目前,在V高掺杂ZnO中,当V掺杂量摩尔数为0.03125-0.04167的范围内,掺杂量越增加,电阻率越增加或越减小的两种实验结果均有文献报道.为解决这个矛盾,本文采用密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,构建未掺杂ZnO, V高掺杂的Zn1-xVxO (x=0.03125,0.04167)两种超胞模型,首先,对所有体系进行几何结构优化,在此基础上,采用GGA+U的方法,计算所有体系的能带结构分布、态密度分布、吸收光谱分布.结果表明,当掺杂量摩尔数为0.03125-0.04167的范围内, V掺杂量越增加,掺杂体系体积越增加,总能量越下降,形成能越减小,掺杂体系越稳定,相对电子浓度越减小,迁移率越减小,电导率越减小,最小光学带隙越增加,吸收光谱蓝移越显著.计算结果与实验结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院物理系	43	191	7.0	9.0
2	赵春旺	内蒙古工业大学理学院物理系	58	247	9.0	12.0
3	吕致远	内蒙古工业大学理学院物理系	8	30	3.0	5.0