W掺杂对β-Ga2O3导电性能影响的理论研究

• 作者: 何苗 范广涵 赵灵智 郑树文
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: β-Ga2O3 电导率 W掺杂 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 057102-1-057102-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.057102

摘要

采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2xO3(x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构.结果表明, W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2xO3材料的体积增大,总能量升高,稳定性降低.当W的掺杂量较小时,其电子迁移率较大,导电性能也很强.当增加W的掺杂量, Ga2(1-x)W2xO3材料的平均电子有效质量就略有增大,能隙变得越窄,这与实验的变化趋势相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	147	1064	16.0	26.0
2	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	33	128	7.0	8.0
3	赵灵智	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	38	573	11.0	23.0
4	何苗	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	8	55	4.0	7.0