温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响

• 作者: 杨双波
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 掺杂 量子阱 磁场 电子态结构
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 057301-1-057301-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.057301

摘要

本文在有效质量近似下,通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T =273 K,磁感应强度B=25 T, Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构。研究了温度与外磁场对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响。发现在给定磁感应强度B=0下,随温度升高子带能量单调增加,费米能量单调递减,自洽势的势阱变深变陡,电子密度分布变宽,峰值降低；在给定温度下,随磁感应强度的增加子带能量及费米能量单调递增,自洽势阱变浅变宽,电子密度分布变窄,峰值升高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨双波	南京师范大学物理科学与技术学院	21	31	3.0	4.0