热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响

• 作者: 娄永乐 张义门 徐大庆 童军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Mn掺杂GaN 光致发光 室温铁磁性 退火
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 047501-1-047501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.047501

摘要

通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN ： Mn薄膜，并研究了退火温度对GaN ： Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响.对不同退火温度处理后的GaN：Mn薄膜的拉曼谱测试显示,出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动(LV)和(Ga, Mn)N中Mn离子的LV引起的新的声子模.在GaN：Mn薄膜的光致发光谱中观察到位于2.16,2.53和2.92 eV 处的三个新发光峰(带),其中位于2.16 eV处的新发光带不能排除来自Mn相关辐射复合的贡献.对GaN：Mn薄膜的霍尔测试显示,退火处理后样品表现出n型体材料特征.对GaN ： Mn薄膜的振动样品磁强计测试显示, GaN ： Mn薄膜具有室温铁磁性,其强弱受Mn相关杂质带中参与调节磁相互作用的空穴浓度的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	童军	西安科技大学电气与控制工程学院	47	138	7.0	9.0
3	娄永乐	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	2	1.0	1.0
4	徐大庆	西安科技大学电气与控制工程学院	5	5	1.0	2.0