氧分压对溅射制备氧化镓薄膜结构及光学带隙的影响

• 作者: 苏庆 马海林
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化镓 光学带隙 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 116701-1-116701-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.116701

摘要

在不同氧分压η(η= O2/[Ar+O2])实验条件下，通过直流反应溅射制备了氧化镓薄膜，然后在真空环境下进行高温再结晶热处理.用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)研究了氧分压η对光学带隙Eg的影响. X射线衍射(XRD)和共聚焦拉曼散射光谱(Raman Scattering)分析显示：经900?C高温热处理后，薄膜呈结晶β相氧化镓，且晶粒尺寸随着氧分压的逐渐增加而变大.室温下由UV-Vis测试薄膜透过率并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙Eg在4.68-4.85 eV之间，且随氧分压η的逐渐增加而变大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏庆	兰州大学物理科学与技术学院	12	33	3.0	5.0
2	马海林	兰州交通大学国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心	7	9	2.0	3.0