C在不同位置掺杂（n，n）型BN纳米管的密度泛函研究

• 作者: 王欣 王艳丽 苏克和 颜红侠
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 掺杂 碳纳米管 周期边界条件 能带结构
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 046101-1-046101-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.046101

摘要

用密度泛函B3LYP/3-21G(d)方法,并利用周期边界条件,研究了C原子在不同位置掺杂的(n, n)型BN纳米管的结构与性质.揭示了几何结构特征、能量、稳定性和能带结构的变化规律.研究了C原子在B位或N位置分别掺杂的BN 纳米管的模型(掺杂浓度x=1/(4n), n=3-9),部分B位掺杂管发生了变形,而所有N位掺杂管则几乎不变形,而且N位比B位的掺杂能更低(管更稳定), B位掺杂管的能隙为1.054-2.411 eV, N掺杂管的能隙为0.252-1.207 eV,所有掺杂管都是半导体,所有掺杂管都具有直接带隙.