Ga梯度分布对Cu（In，Ga）Se2薄膜及太阳电池的影响

• 作者: 何青 刘芳芳 孙云
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Cu(In,Ga)Se2太阳电池 Ga梯度 导带失调值 背电场
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 047201-1-047201-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.047201

摘要

传统制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)手段之一是共蒸发三步法,工艺中通过Cu, In, Ga, Se 4种元素相互扩散、作用形成抛物线形的Ga梯度分布。本文通过调整Ga源温度制备了Ga梯度分布不同的CIGS薄膜及电池。利用多种测试方法,研究了Ga梯度分布不同对CIGS薄膜表面及背面结构性质及电性质的影响,计算分析了表面导带失调值及背面电场对电池性能的影响,从而获得了合适的Ga梯度分布,提高了电池光谱相应,获得了较好的电池性能参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙云	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	33	390	11.0	19.0
2	何青	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	40	365	11.0	18.0
3	刘芳芳	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	19	224	7.0	14.0