酞菁铜与MoS2（0001）范德瓦耳斯异质结研究

• 作者: 吕路 张雷 曹宁通 牛冬梅 谢海鹏 高永立 黄寒
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 有机半导体 光电子能谱 电子结构 异质结
• 年，卷（期）: 2014,（16）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 167903-1-167903-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.167903

摘要

利用光电子能谱、原子力显微镜以及低能电子衍射等表面研究手段系统研究了真空沉积生长的酞菁铜薄膜与衬底MoS2(0001)之间的范德瓦耳斯异质结界面电子结构和几何结构.角分辨光电子能谱清楚地再现了MoS2(0001)衬底在Γ点附近的能带结构.低能电子衍射结果表明, CuPc薄膜在MoS2(0001)表面沿着衬底表面[11ˉ20],[1ˉ210]和[ˉ2110]三个晶向有序生长,反映了衬底对CuPc的影响.原子力显微镜结果表明, CuPc在MoS2衬底上遵循层状-岛状生长模式：在低生长厚度下(单层薄膜厚度约为0.3 nm), CuPc分子平面平行于MoS2表面上形成均匀连续的薄膜；在较高的沉积厚度下, CuPc沿衬底晶向形成棒状晶粒,表现出明显的各向异性.光电子能谱显示界面偶极层为0.07 eV,而且能谱在膜厚1.2 nm饱和,揭示了酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结的能级结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张雷	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	82	710	14.0	24.0
2	牛冬梅	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	4	6	2.0	2.0
3	吕路	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	2	5	2.0	2.0
4	谢海鹏	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	5	15	3.0	3.0
5	曹宁通	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	2	5	2.0	2.0
6	黄寒	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	2	10	2.0	2.0
7	高永立	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	1	2	1.0	1.0