超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化

• 作者: 刘静 郭飞 高勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅锗碳 超结 异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 048501-1-048501-8
• 页数: 1页
• 字数: 4592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.048501

摘要

提出一种超结硅锗碳异质结双极晶体管(SiGeC HBT)新结构.详细分析了新结构中SiGeC基区和超结结构的引入对器件性能的影响，并对其电流输运机制进行研究.基于SiGeC/Si异质结技术，新结构器件的高频特性优良；同时超结结构的存在，在集电区内部水平方向和垂直方向都建立了电场，二维方向上的电场分布相互作用大大提高了新结构器件的耐压能力.结果表明：超结SiGeC HBT与普通结构SiGeC HBT相比，击穿电压提高了48.8%；更重要的是SiGeC HBT 器件中超结结构的引入，不会改变器件高电流增益、高频率特性的优点；新结构器件与相同结构参数的Si 双极晶体管相比，电流增益提高了10.7倍，截止频率和最高震荡频率也得到了大幅度改善，很好地实现了高电流增益、高频率特性和高击穿电压三者之间的折中.对超结区域的柱区层数和宽度进行优化设计，随着柱区层数的增多，击穿电压显著增大，电流增益有所提高，截止频率和最高震荡频率减低，但幅度很小.综合考虑认为超结区域采用pnpn四层结构是合理的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
3	郭飞	西安理工大学电子工程系	2	12	2.0	2.0