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摘要:
为了计算微波器件的微放电阈值,提出了一种快速单粒子蒙特卡罗方法。该方法对二次电子出射能量、出射角度和相位等参数进行随机处理,结合四阶龙格库塔法和Furman模型模拟了电子运动和二次电子发射系数,并以多次连续碰撞的二次电子发射系数的算数平均值作为微放电效应发生的判据。以平板传输线横电磁模式为研究对象,分别采用快速单粒子蒙特卡罗方法、统计模型、传统蒙特卡罗方法以及粒子模拟方法计算其微放电阈值和敏感区域。计算结果表明,该方法不仅具有与统计模型和粒子模拟方法相当的计算精度,而且比统计模型方法的适应性更强,比传统蒙特卡罗方法的稳定性更好,比粒子模拟方法的计算效率高几十倍以上。
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文献信息
篇名 微波器件微放电阈值计算的快速单粒子蒙特卡罗方法
来源期刊 物理学报 学科
关键词 微放电 单粒子蒙特卡罗方法 平板传输线 敏感区域
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 047902-1-047902-5
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.63.047902
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘纯亮 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 124 527 9.0 16.0
2 李永东 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 42 184 8.0 11.0
3 王洪广 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 20 69 5.0 7.0
4 林舒 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 9 21 3.0 4.0
5 闫杨娇 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 3 8 1.0 2.0
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