无氨法制备GaN纳米线及其光电性能研究

• 作者: 严辉 宋雪梅 张跃飞 王如志 赵军伟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN纳米线 无氨法 场发射 光致发光
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 117702-1-117702-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.117702

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在无氨与1050?C的条件下通过气液固(V-L-S)机理成功制备出六方纤锌矿结构单晶GaN纳米线其拉曼测试结果表明，所制备的纳米线存在较大的表面无序度并表现出明显的小尺寸效应样品光致发光表明其具有典型的纳米线光谱特征，另外，无氨法制备的纳米线也具有较好的场发射特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	178	1225	16.0	29.0
2	张跃飞	北京工业大学固体微结构与性能研究所	27	73	5.0	6.0
3	宋雪梅	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	44	498	11.0	21.0
4	王如志	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	48	136	6.0	10.0
5	赵军伟	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	1	2	1.0	1.0