应变加载下Si纳米线电输运性能的原位电子显微学研究

• 作者: 王疆靖 邓青松 邵瑞文 郑坤
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Si纳米线 应变 塑性形变 电输运性能
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 117303-1-117303-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.117303

摘要

半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围，被认为是应变工程理想的研究材料，引起了人们广泛的关注。本研究中，利用聚焦离子束技术从p型Si的单晶薄膜上切割出?100?取向的单根纳米线，在透射电子显微镜中利用纳米操控系统对其加载弯曲形变，同时实时监测其电流-电压曲线的变化，研究弯曲应变对其电学性能的影响。结果表明，随着应变的增大，纳米线输运性能明显增强，当应变接近2%时，输运性能随应变的提升接近饱和；当应变达到3%以后，输运性能有时会略微下降，这可能由塑形事件导致的。本实验结果可能会对Si应变工程起到重要的参考意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑坤	北京工业大学固体微结构与性能研究所	16	70	6.0	7.0
2	王疆靖	北京工业大学固体微结构与性能研究所	1	4	1.0	1.0
3	邵瑞文	北京工业大学固体微结构与性能研究所	3	10	3.0	3.0
4	邓青松	北京工业大学固体微结构与性能研究所	1	4	1.0	1.0