溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管

• 作者: 张建华 李喜峰 高娅娜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 薄膜晶体管 锆铝氧化物 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 118502-1-118502-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.118502

摘要

本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建华	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
2	李喜峰	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	21	70	5.0	6.0
3	高娅娜	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	3	9	2.0	3.0