SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 朱贺 杨超 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: HBT 设计 频率 SOI
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 118501-1-118501-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.118501

摘要

将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求. SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度.为此,本文针对所提出的SOI SiGe HBT 器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所建立的集电区电容模型予以分析.规律和结果为：1) SOI SiGe HBT特征频率随集电区掺杂浓度的升高而增加；2) SOI SiGe HBT特征频率与集电极电流IC之间的变化规律与传统SiGe HBT的相一致；3)正常工作状态, SOI SiGe HBT(集电区3×1017 cm-3掺杂)最高振荡频率fmax大于140 GHz,且特征频率fT大于60 GHz.与传统SiGe HBT相比,特征频率最大值提高了18.84%.以上规律及结论可为SOI SiGe HBT及BiCMOS的研究设计提供重要依据.