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晶体管技术领域趋势分析
晶体管技术领域趋势分析
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摘要：
22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，有几种改进工艺，目前有多种新器件结构可供选择，如FinFET、3栅结构、纳米线和ET-FD-SOI。下面将重点分析下其他半导体公司在22nm节点或是20nm半节点上的一些动态进展，以供我们在研发定性能参数做参考。
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研究主题发展历程
节点文献
晶体管
改进工艺
动态进展
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子测试
主办单位：
北京自动测试技术研究所
出版周期：
半月刊
ISSN：
1000-8519
CN：
11-3927/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市100098－002信箱
邮发代号：
82-870
创刊时间：
1994
语种：
chi
出版文献量（篇）
19588
总下载数（次）
63
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