透明导电薄膜ITO对GaN基蓝光发光二极管影响的分析

• 作者: 李兴 杨瑞霞
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: ITO透明导电薄膜 P-GaN 欧姆接触 发光二极管
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 实验研究 Experimental Research
• 页码范围: 33-34
• 页数: 2页
• 字数: 1370字
• 语种: 中文

摘要

本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO 蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究，并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管，分析其对管芯表面电流扩展、ITO与P-GaN欧姆接触电阻的影响，通过优化ITO相关工艺来降低LED工作电压及提高透过率、提高LED发光亮度。通过试验得到优化参数为：ITO厚度250nm，退火温度400℃，N2流量30L/min，退火时间10min。在优化条件下玻璃片上测得ITO方块电阻约为12Ω/□，透光率达到95%以上，制得的203μm×508μm蓝光LED芯片在直流电流20mA下的正向电压3.18V，光功率为26.11mW。封装成X=0.35， Y=0.35，色温4500K，显色指数75白光后，光通量为7.81lm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞		1	0	0.0	0.0
2	李兴	河北工业大学信息工程学院	5	3	1.0	1.0