关于霍尔效应特性的实验研究

• 作者: 王昆林 高晓虎
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 霍尔器件 霍尔电压 霍尔效应 实验探究
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 学术交流
• 页码范围: 221-221,222
• 页数: 2页
• 字数: 2526字
• 语种: 中文

摘要

随着电子技术的发展，霍尔效应不单是测定半导体材料电学参数的主要手段，利用霍尔效应制成的霍尔器件凭借其结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点，已广泛应用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面，随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一，通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。本文重点对霍尔电压(VH)与工作电流(IS)、霍尔电压(VH)与磁场的关系进行实验探索，进一步深入了解霍尔效应的机理。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王昆林	楚雄师范学院物理与电子科学系	61	204	8.0	10.0
2	高晓虎	楚雄师范学院物理与电子科学系	1	3	1.0	1.0