重离子诱发二次光子位置测量技术研究

• 作者: 史淑廷 王惠 范辉 郭刚
• 来源期刊: 科技视界
• 关键词: IPEM 二次光子 位置测量 CCD
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 科教前哨
• 页码范围: 63-63,15
• 页数: 2页
• 字数: 1219字
• 语种: 中文

摘要

为进一步丰富芯片微观区域单粒子效应敏感度研究方法，开展IPEM装置建设前期研究。针对新型装置入射离子位置测量这一关键问题，在串列加速器单粒子效应专用辐照终端上，搭建光学位置测量装置，对单个离子在闪烁体材料上诱发产生的光子进行位置测量。通过分析实验数据，确认CCD测量到代表单个入射离子的二次光子图像，为下一步IPEM辐照装置的建设积累了经验。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭刚		34	65	4.0	7.0
2	史淑廷		7	5	2.0	2.0
3	范辉		5	7	2.0	2.0
4	王惠		4	0	0.0	0.0