高方阻太阳能电池用正面银浆导电机理研究

• 作者: 刘玉杰 吴新正 张愿成 王训春 郑建华
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: 高方阻 传输线 接触电阻 腐蚀坑 隧道效应
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究·分析
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.3+2|TN914.4
• 语种: 中文

摘要

分别研发了适用高方阻和低方阻晶硅太阳能电池的正面银浆A和B,并将两者应用到尺寸为156mm×156mm,方块电阻分别为60 Ω/sq、85 Ω/sq的多晶硅电池片上.结果显示两种银浆制备的60 Ω/sq多晶硅电池片性能十分接近,而85 Ω/sq多晶硅电池片性能差异明显.在利用A、B两种浆料制备的85 Ω/sq多晶硅电池片中,B的Rs较A高8.15 mΩ,FF低8.1％,Eff低2.28％,接触电阻率是A的5倍以上.并将A、B两种银浆印刷于已经扩散、镀膜的抛光单晶片上,烧结后再使用HNO3、HF依次腐蚀银和玻璃,观察玻璃、硅界面的状态.结果表明A在硅上留下的腐蚀坑较B的数量多、分布均匀、腐蚀深度均一,且A的玻璃层厚度更小,对氮化硅的开孔率更高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张愿成		13	44	4.0	5.0
2	王训春		7	20	3.0	4.0
3	刘玉杰		6	8	2.0	2.0
4	吴新正		4	12	2.0	3.0
5	郑建华		2	5	1.0	2.0