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摘要:
提出了一种新的电路结构,通过两种运行模式的切换,可以在降低CMOS智能温度传感器不匹配误差的同时,保证输出有尽可能高的动态范围。理论分析得出,相对于传统结构,新结构的不匹配误差能减小66%以上。0.18μm工艺环境下的仿真结果表明,在-55℃~125℃的温度范围内,输出能达到90%左右的动态范围,和Pertijs提出的改进结构相比,有较大幅度的提高。芯片实测结果在-10℃~100℃的温度范围内证实了这个结论。
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文献信息
篇名 基于运行模式切换的低不匹配误差高动态范围CMOS智能温度传感器?
来源期刊 传感技术学报 学科 工学
关键词 温度传感器 不匹配误差 动态范围 CMOS工艺
年,卷(期) 2015,(1) 所属期刊栏目 传感器应用
研究方向 页码范围 142-147
页数 6页 分类号 TP212.1
字数 3387字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1699.2015.01.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张培勇 浙江大学超大规模集成电路研究所 17 46 3.0 6.0
2 单文焘 浙江大学超大规模集成电路研究所 1 5 1.0 1.0
3 冯忱晖 浙江大学超大规模集成电路研究所 3 25 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
温度传感器
不匹配误差
动态范围
CMOS工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
传感技术学报
月刊
1004-1699
32-1322/TN
大16开
南京市四牌楼2号东南大学
1988
chi
出版文献量(篇)
6772
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23
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