Ga12－nAs n（n＝0～12）系列团簇基态结构及稳定性的研究

• 作者: 姜科 朱挥毫 杨建宋 潘仁奇 王秀敏 郭颖旦
• 来源期刊: 杭州师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化镓团簇 基态结构 能量 稳定性
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 数学与物理学
• 页码范围: 438-445
• 页数: 8页
• 分类号: O561
• 字数: 3567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-232X.2015.04.019

摘要

在基于第一性原理的ADF程序平台上，对Ga12－n Asn （n＝0～12）系列团簇的基态结构、能量、能隙、电离能和亲和势等物理性质进行了随机筛选和精确计算．对结果的分析表明，随着 n的增加，团簇的总能量几乎呈线性下降，电离能从5．9eV上升到7．3eV，亲和能在2．0～2．7eV之间波动，电离能比亲和能大，HO‐MO‐LUMO能隙从0．6 eV上升到2．2 eV ，并在 n＝4～9之间，呈现明显的奇偶性振荡，与能量的二阶差分所显示的相一致，表明在 n＝3、5、11处团簇将具有较高的稳定性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建宋	杭州师范大学理学院	19	39	4.0	6.0
2	郭颖旦	杭州师范大学经亨颐学院	3	4	1.0	2.0
3	王秀敏	杭州师范大学经亨颐学院	3	1	1.0	1.0
4	姜科	杭州师范大学经亨颐学院	2	4	1.0	2.0
5	潘仁奇	杭州师范大学经亨颐学院	2	0	0.0	0.0
6	朱挥毫	杭州师范大学经亨颐学院	1	0	0.0	0.0