TI推出NexFET N沟道功率MOSFET,可实现业界最低电阻

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: TI 低电阻 同类竞争 导通电阻 电流条件 热插拔 电源转换效率 电信应用 负载开关 批量采购
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 2-3
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD13383F4在采用0.6mm×1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84%的极低电阻。CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下