平面型VDMOS源区的不同制作方法研究

• 作者: 闻正锋 马万里
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 平面 垂直双扩散晶体管 源极 单脉冲雪崩击穿能量 硅孔 侧墙
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1746字
• 语种: 中文

摘要

平面型VDMOS在制作源区时，常规做法是利用掩模板进行一次光刻，然后再进行源区注入。提出3种其他的制作方式，在保证器件电学性能的前提下，可节约一次光刻。诸如，通过刻蚀硅孔将源区与P型体区短接，或者利用厚氧化层阻挡部分源区注入的方式，利用多重侧墙阻挡注入的方式。3种办法各有优缺点，都可供在生产中选择。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马万里		9	13	2.0	3.0
2	闻正锋		2	0	0.0	0.0