电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

• 作者: 全思 刘盼芝 张林 徐小波 杨丽媛 谷文萍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 电子辐照 表面态 辐照加固 辐照损伤
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 278-283
• 分类号: TN323.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.006

摘要

采用能量为1 MeV的电子对几种不同结构的A1GaN/GaN HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014 cm-2的辐照.实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化.辐照后来钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高度随着辐照注量的增加而降低.几种结构HEMT器件的辐照结果表明,电子辐照后只有未钝化器件的特性有所退化,随着辐照注量增加,器件漏电流和跨导下降越明显,而且线性区退化大于饱和区,而阈值电压变化很小.分析表明,HEMT器件参数性能退化的主要原因是栅源和栅漏间隔区辐照感生表面态负电荷的产生.此外实验结果也说明SiN钝化、MOS结构和场板结构都是很好的抗辐照加固的手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张林	长安大学电子与控制工程学院	36	203	8.0	13.0
2	全思	长安大学电子与控制工程学院	4	10	2.0	3.0
3	刘盼芝	长安大学电子与控制工程学院	18	95	6.0	9.0
4	谷文萍	长安大学电子与控制工程学院	7	12	2.0	2.0
8	徐小波	长安大学电子与控制工程学院	5	7	2.0	2.0
9	杨丽媛	长安大学电子与控制工程学院	1	3	1.0	1.0