亚微米尺寸金属电极的制备工艺

• 作者: 吴卫东 彭丽萍 沈昌乐 湛治强 熊政伟 王雪敏 罗跃川 阎大伟
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双层胶 亚微米 电子束曝光 金属电极
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 646-648,658
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201504.0646

摘要

亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响.本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡.通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550 μC/cm2.通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形.开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极.