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摘要:
目的 分析不同负偏压下TiN涂层表面的大颗粒数量、尺寸和面积以及像素分布,为多弧离子镀技术的工业化应用提供基础数据. 方法 采用多弧离子镀膜技术,以脉冲负偏压为变量,在硬质合金表面沉积TiN涂层. 用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行表征,并利用ImageJ软件对表面大颗粒的数量和尺寸进行分析,对像素分布进行统计. 结果 随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒的数量先增多,后减少. 负偏压为100 V时,大颗粒数量最多,为1364;负偏压为300 V时,大颗粒数量最少,为750. 此外随着负偏压的增加,大颗粒所占涂层面积比逐渐减小. 未加负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最大,为6 . 9%,且此时涂层的力学性能最差;采用400 V负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最小,为3 . 3%,且此时涂层的力学性能最好. 负偏压为300 V时,亮、暗像素点的个数最多,为8302;负偏压为400 V时,亮、暗像素点的个数最少,为4067. 结论 当占空比为30%,沉积时间为1 h,负偏压为400 V时,获得的涂层力学性能最好,颗粒数量少且尺寸小.
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负偏压对多弧离子镀TiN薄膜的影响
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 负偏压对多弧离子镀TiN涂层大颗粒形貌及像素分布的影响
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 多弧离子镀 TiN涂层 负偏压 ImageJ软件 大颗粒 像素分布
年,卷(期) 2015,(11) 所属期刊栏目 膜层技术
研究方向 页码范围 29-34
页数 6页 分类号 TG174.444
字数 2450字 语种 中文
DOI 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.11.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 金永中 四川理工学院材料与化学工程学院 89 417 11.0 16.0
2 刘东亮 四川理工学院材料与化学工程学院 45 275 9.0 14.0
3 陈昌浩 四川理工学院材料与化学工程学院 6 10 2.0 3.0
4 余学金 四川理工学院材料与化学工程学院 3 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
多弧离子镀
TiN涂层
负偏压
ImageJ软件
大颗粒
像素分布
研究起点
研究来源
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相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
论文1v1指导