负偏压对多弧离子镀TiN涂层大颗粒形貌及像素分布的影响

• 作者: 余学金 刘东亮 金永中 陈昌浩
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多弧离子镀 TiN涂层 负偏压 ImageJ软件 大颗粒 像素分布
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 膜层技术
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.11.005

摘要

目的 分析不同负偏压下TiN涂层表面的大颗粒数量、尺寸和面积以及像素分布,为多弧离子镀技术的工业化应用提供基础数据. 方法 采用多弧离子镀膜技术,以脉冲负偏压为变量,在硬质合金表面沉积TiN涂层. 用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行表征,并利用ImageJ软件对表面大颗粒的数量和尺寸进行分析,对像素分布进行统计. 结果 随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒的数量先增多,后减少. 负偏压为100 V时,大颗粒数量最多,为1364;负偏压为300 V时,大颗粒数量最少,为750. 此外随着负偏压的增加,大颗粒所占涂层面积比逐渐减小. 未加负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最大,为6 . 9%,且此时涂层的力学性能最差;采用400 V负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最小,为3 . 3%,且此时涂层的力学性能最好. 负偏压为300 V时,亮、暗像素点的个数最多,为8302;负偏压为400 V时,亮、暗像素点的个数最少,为4067. 结论 当占空比为30%,沉积时间为1 h,负偏压为400 V时,获得的涂层力学性能最好,颗粒数量少且尺寸小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金永中	四川理工学院材料与化学工程学院	89	417	11.0	16.0
2	刘东亮	四川理工学院材料与化学工程学院	45	275	9.0	14.0
3	陈昌浩	四川理工学院材料与化学工程学院	6	10	2.0	3.0
4	余学金	四川理工学院材料与化学工程学院	3	2	1.0	1.0