多晶硅厚膜太阳电池最佳厚度理论设计

• 作者: 何海洋 孔凡迪 杨博 牟潇野 白一鸣 贺凯 陈吉堃 陈心一 陈诺夫 陶泉丽
• 来源期刊: 可持续能源
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅厚膜 太阳电池 少子扩散 厚度
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 33-41
• 页数: 9页
• 分类号: TN3

摘要

晶体硅太阳电池是生产工艺最成熟、性能最稳定、应用最广泛的光电转换器件。目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳电池厚度进行了理论分析,获得晶体硅太阳电池的最佳厚度为49 μm。今后,晶体硅太阳电池的发展趋势必然是厚度为49 μm的晶体硅厚膜结构。