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Diodes芯片级双向MOSFET节省空间有效提高锂电池容量
Diodes芯片级双向MOSFET节省空间有效提高锂电池容量
作者:
季建平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电池容量
DIODES
芯片级封装
低导通电阻
消费性产品
媒体播放器
电池寿命
终端市场
平板电脑
充电电路
摘要:
【正】Diodes公司(Diodes Incorporated)推出双向MOSFETDMN2023UCB4,提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗,纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器,以及对其尺寸、重量和电池寿命都至关重要的同类型消费性产品。
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篇名
Diodes芯片级双向MOSFET节省空间有效提高锂电池容量
来源期刊
半导体信息
学科
工学
关键词
电池容量
DIODES
芯片级封装
低导通电阻
消费性产品
媒体播放器
电池寿命
终端市场
平板电脑
充电电路
年,卷(期)
2015,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
4-5
页数
2页
分类号
TN386
字数
语种
DOI
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2015(0)
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DIODES
芯片级封装
低导通电阻
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电池寿命
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研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
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