铝栅化学机械抛光工艺

• 作者: 冯翠月 刘玉岭 张文倩
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 铝栅 化学机械抛光 配方 磨料 去除速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2015,（21）
• 所属期刊栏目: 工艺开发
• 页码范围: 1232-1237
• 页数: 6页
• 分类号: TG175.3
• 字数: 4402字
• 语种: 中文

摘要

探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数(包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间)对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂H2O2 1.0％(体积分数,下同),螯合剂FA/O Ⅱ 0.4％,非离子表面活性剂FA/O Ⅰ 2.0％,纳米硅溶胶磨料12％,pH 10.粗抛工艺参数为:抛光压力3.0 psi,转速50 r/min,抛光液流速250 mL/min,抛光时间240 s.精抛工艺参数为:抛光压力2.0 psi,转速45 r/min,抛光液流速150 mL/min,抛光时间240 s.粗抛时铝的去除速率为330 nm/min,精抛时铝的去除速率为210 nm/min.通过2种抛光工艺相结合,铝栅表面粗糙度可达13.26 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
2	张文倩	河北工业大学电子信息工程学院	11	36	3.0	5.0
3	冯翠月	河北工业大学电子信息工程学院	4	8	2.0	2.0