Sr-F共掺杂的SnO2基透明导电薄膜

• 作者: 刘星元 吴绍航 张楠 蒋大鹏 郭晓阳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电薄膜 无铟 SnO2 半导体掺杂
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 829-833
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153607.0829

摘要

利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2( SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过率,电阻率低于3.9×10-3Ω·cm,380~2500 nm波段的平均透过率大于85%,功函数约为5.10 eV。 SFTO透明导电薄膜为非晶态薄膜,具有较好的表面平整度( Rq <1.5 nm)。与工业上F掺杂SnO2薄膜的衬底温度(>450℃)相比,本文所用的衬底温度仅为300℃,有望直接将SnO2基透明导电非晶薄膜制备到柔性的塑料( PI、PAR或PCO)衬底上以获得性能良好的柔性电极。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘星元		14	41	4.0	5.0
2	郭晓阳	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	4	20	3.0	4.0
3	吴绍航	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	8	1.0	1.0
7	张楠	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	8	1.0	1.0
8	蒋大鹏	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	8	1.0	1.0