一种CCD器件的MPP工作状态分析

• 作者: 于洪洲 戴放 沈吉 简云飞
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: CCD MPP 沟道电压 暗电流
• 年，卷（期）: jcdltx_2015,（1）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN948.41

摘要

采用MPP（多相钉扎）技术的CCD具有优异的暗电流性能，在军事观察、天文观测和生物工程等领域有大的发展潜力和应用前号。针对采用MPP简化的二维二相CCD结构，研究丁不同的沟道电极电压对这种CCD结构的沟道电压、界面栽流子浓度和暗电流等参数的影响。通过改变沟道电极电压模拟了CCD的MPP工作状态，实现了MPP功能，有效的抑制了Si-Si02界面态的热产生，降低了CCD的暗电流密度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴放	北方通用电子集团有限公司微电子部	3	0	0.0	0.0
2	于洪洲	北方通用电子集团有限公司微电子部	1	0	0.0	0.0
3	沈吉	北方通用电子集团有限公司微电子部	1	0	0.0	0.0
4	简云飞	北方通用电子集团有限公司微电子部	2	0	0.0	0.0