一种低功耗无运放的带隙基准电压源设计

• 作者: 汤晔 邹勤丽
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 无运放设计 低功耗 CMOS
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 22-24,32
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2185字
• 语种: 中文

摘要

设计了一种新型无运放带隙基准源。该电路使用负反馈的方法，避免了运放的使用，从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压对基准源精度的影响，同时还提升了电源抑制比，且降低了功耗。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。该设计基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺在Candence Specture环境下进行仿真，电源电压采用3.3 V，温度范围为-55~125℃，电源抑制比为82 dB，功耗仅有0.06 mW。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹勤丽	上海交通大学电子与通信工程系	1	10	1.0	1.0
5	汤晔		1	10	1.0	1.0