PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位

• 作者: 刘丽媛 蔡金宝 陈航 陈选龙
• 来源期刊: 失效分析与预防
• 学科: 工学
• 关键词: 光致电阻变化 光发射显微镜 集成电路 失效分析 失效定位 漏电
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 案例分析
• 页码范围: 365-368,392
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 3662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-6214.2015.06.007

摘要

漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜( PEM)和光束感生电阻变化( OBIRCH)技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性. 得出以下结论:根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡金宝	工业和信息化部电子第五研究所分析中心	2	6	1.0	2.0
2	陈选龙	工业和信息化部电子第五研究所分析中心	8	31	4.0	5.0
3	陈航	工业和信息化部电子第五研究所分析中心	1	5	1.0	1.0
4	刘丽媛	工业和信息化部电子第五研究所分析中心	9	36	4.0	5.0