快速退火对PLD法制备SnS薄膜结构和光学性质的影响

• 作者: 刘丹丹 刘磊 史成武 梁齐 郭慧尔 马明杰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnS薄膜 脉冲激光沉积 快速退火 光学性质
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 811-820
• 页数: 10页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 5192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153607.0811

摘要

利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜,并在Ar气保护下分别在200,300,400,500,600℃对薄膜进行快速退火处理。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜( FE-SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计( UV-Vis-NIR)、Keithley 4200-SCS半导体参数分析仪研究了快速退火温度对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学性质和电学性能的影响。所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,退火温度为400℃时的薄膜结晶质量最好。薄膜均具有SnS特征拉曼峰。随着退火温度的升高,薄膜厚度逐渐减小,而平均颗粒尺寸逐渐增大。不同退火温度下的SnS薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105 cm-1量级,400℃时退火薄膜的直接带隙为1.92 eV。随着退火温度从300℃升高到500℃,电阻率由1.85×104Ω·cm下降到14.97Ω·cm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	35	165	7.0	9.0
2	史成武	合肥工业大学化学与化工学院	43	476	11.0	20.0
3	梁齐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	47	197	7.0	10.0
4	郭慧尔	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	12	59	5.0	7.0
5	刘丹丹	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	9	22	3.0	4.0
6	马明杰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	4	23	3.0	4.0