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632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究
632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究
作者:
张检民
张震
徐作冬
盛良
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMOS
激光辐照
功率密度阈值
激光干扰
摘要:
开展了632.8 nm连续激光辐照可见光JHSM36Bf CMOS相机实验研究,获得了632.8 nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值.实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强;连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰;分析了CMOS串扰现象与CCD的不同.用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法,定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度.
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文献信息
篇名
632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究
来源期刊
现代应用物理
学科
工学
关键词
CMOS
激光辐照
功率密度阈值
激光干扰
年,卷(期)
2015,(3)
所属期刊栏目
激光、光学和光电子学
研究方向
页码范围
181-185
页数
5页
分类号
TN249
字数
2644字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
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张检民
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徐作冬
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盛良
四川大学物理科学与技术学院
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引证文献(1)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
激光辐照
功率密度阈值
激光干扰
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代应用物理
主办单位:
西北核技术研究所
国防工业出版社
出版周期:
季刊
ISSN:
2095-6223
CN:
61-1491/O4
开本:
大16开
出版地:
西安市69信箱15分箱
邮发代号:
创刊时间:
2010
语种:
chi
出版文献量(篇)
533
总下载数(次)
1
总被引数(次)
594
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