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摘要:
开展了632.8 nm连续激光辐照可见光JHSM36Bf CMOS相机实验研究,获得了632.8 nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值.实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强;连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰;分析了CMOS串扰现象与CCD的不同.用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法,定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度.
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文献信息
篇名 632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究
来源期刊 现代应用物理 学科 工学
关键词 CMOS 激光辐照 功率密度阈值 激光干扰
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目 激光、光学和光电子学
研究方向 页码范围 181-185
页数 5页 分类号 TN249
字数 2644字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张检民 19 72 6.0 7.0
5 张震 12 55 4.0 7.0
7 徐作冬 9 27 3.0 5.0
11 盛良 四川大学物理科学与技术学院 2 11 2.0 2.0
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研究主题发展历程
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CMOS
激光辐照
功率密度阈值
激光干扰
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