跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术填补国内空白

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: NLDMOS 晶圆生产 集成电路工艺 开关电源 漂移区 器件结构 于华 导通电阻 同心环 驱动电源
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 8-8
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

【正】华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司("华润上华")自主研发的"跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法"专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白,开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术,达到国际领先水平。目前,该项专利已应用于华润上华晶圆生产线,累计产出已达24万片,大幅提升了企业营收能力,两年