光照强度和掺杂浓度对多孔硅形貌和电化学行为的影响

• 作者: 孙羽涵 薛娱静 赵景勇 闫康平
• 来源期刊: 化学通报（印刷版）
• 关键词: 电化学特性 n型多孔硅 掺杂浓度 光照强度 反射率
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 字数: 3224字
• 语种: 中文

摘要

测试分析了光照强度和掺杂浓度对n型硅电极电化学特性的影响.采用电化学阳极腐蚀法在光照辅助下制备多孔硅(PS),通过扫描电镜研究掺杂浓度对PS表面微观形貌的影响,通过积分球测试仪测试研究了PS对光的反射率.结果表明,对于n型硅,光照是激发空穴的必要手段,光照强度越强,硅/电解液界面的电荷转移阻抗越小,更利于反应的进行;掺杂浓度越高,电化学极化阻力越小,促进PS孔密度增加.本实验条件下,形成的PS是微米级孔,随着掺杂浓度的增加,形成的PS孔径越小,孔深存在一个极值;电阻率为0.35Ω·cm的硅片拥有最大的孔深13μm;PS的孔结构大大提升了硅基对光子的捕获能力,相比于单晶硅,在可见-近红外范围,电阻率为0.0047Ω· cm的硅片制备的n-PS对光的反射率已经从30％降低到了5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫康平	四川大学化学工程学院	95	356	10.0	15.0
2	孙羽涵	四川大学化学工程学院	3	8	2.0	2.0
3	赵景勇	四川大学化学工程学院	3	11	2.0	3.0
4	薛娱静	四川大学化学工程学院	3	7	1.0	2.0