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Si3N4-TiC和Si3N4-TiN复相导电陶瓷的制备及电加工性能研究
Si3N4-TiC和Si3N4-TiN复相导电陶瓷的制备及电加工性能研究
作者:
伍尚华
古尚贤
游洋
蒋强国
郭伟明
高棱
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Si3N4-TiC
Si3N4-TiN
热压烧结
导电陶瓷
导电性
摘要:
以TiC和TiN粉为导电相,利用热压烧结制备了Si3N4-TiC和Si3N4-TiN复相导电陶瓷.比较了TiC和TiN对Si3N4陶瓷相组成、致密度、显微结构、力学性能、导电性能及电火花加工性能的影响.结果表明:高温下TiN与Si3N4具有良好稳定性,烧结后获得Si3N4-TiN复相导电陶瓷,然而高温下TiC却与Si3N4反应形成了TiC0.5N0.5和SiC,烧结后获得Si3 N4-TiC0.5N0.5-SiC复相导电陶瓷.虽然TiN和TiC的引入对Si3N4的硬度和断裂韧性的影响没有明显差别,然而TiC的引入可以更好的改善Si3N4的致密化、导电性能及电火花加工性能;与以TiN为导电相所制备的Si3N4基导电陶瓷相比,以TiC为导电相所制备的Si3N4基复相导电陶瓷电火花加工后表面的粗糙度值和材料去除率更低.
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文献信息
篇名
Si3N4-TiC和Si3N4-TiN复相导电陶瓷的制备及电加工性能研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
工学
关键词
Si3N4-TiC
Si3N4-TiN
热压烧结
导电陶瓷
导电性
年,卷(期)
2015,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1095-1100
页数
6页
分类号
TB332
字数
3690字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
古尚贤
广东工业大学机电工程学院
11
53
5.0
6.0
2
伍尚华
广东工业大学机电工程学院
54
279
10.0
15.0
3
高棱
广东工业大学机电工程学院
8
33
3.0
5.0
4
郭伟明
广东工业大学机电工程学院
30
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5.0
6.0
5
游洋
广东工业大学机电工程学院
7
17
3.0
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6
蒋强国
广东工业大学机电工程学院
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人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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