退火对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 何丹农 尹桂林 张柯 李文英 汪元元 钟建
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 退火 ZnO Cu 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.01.008

摘要

室温下利用磁控溅射制备了ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系.结果表明:退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加,薄膜电阻率先降低后升高,光学透过率和禁带宽度先升高后降低.150℃下真空退火的ZnO/Cu/ZnO薄膜的性能最佳,最高可见光透光率为90.5％,电阻率为1.28×10-4Ω·cm,载流子浓度为4.10×1021 cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何丹农	上海交通大学材料科学与工程学院	116	1094	18.0	28.0
5	尹桂林		13	75	4.0	8.0
6	钟建		8	70	6.0	8.0
7	李文英	上海交通大学材料科学与工程学院	9	112	7.0	9.0
8	张柯		1	10	1.0	1.0
9	汪元元		2	18	2.0	2.0