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摘要:
本文利用特征矩阵法,分析了缺陷层厚度的随机扰动对一维光子晶体带隙的影响。结果表明,当随机度为0.03时,光子晶体的全向带隙和全向带隙率变化不大,同时缺陷处的透过率变化也不明显。当随机度达到0.3时,光子晶体的全向带隙和全向带隙率变化较小,但缺陷处的透过率只能达到原来的0.4。当随机度达到0.5时,光子晶体只有一个全向带隙,其缺陷处的透过率也降到0。本文的研究对一维光子晶体的设计和制备提供了有价值的参考。
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文献信息
篇名 缺陷层厚度的随机扰动对一维光子晶体带隙的影响
来源期刊 应用物理 学科 物理学
关键词 厚度 随机度 全向带隙 透过率
年,卷(期) 2015,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 83-87
页数 5页 分类号 O7
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王磊 1 0 0.0 0.0
2 路彦红 1 0 0.0 0.0
3 黄茂松 1 0 0.0 0.0
4 郭付才 1 0 0.0 0.0
5 卢意红 1 0 0.0 0.0
6 石敏 1 0 0.0 0.0
7 胡恒江 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
厚度
随机度
全向带隙
透过率
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
应用物理
月刊
2160-7567
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
428
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