单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制

• 作者: 张旭光 张晓松 徐建萍 李岚 李淑彬 王雪亮 石少波 石鑫 赵相国
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米棒 荧光光谱 氧空位 导电细丝通道
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 795-800
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.21
• 字数: 2372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153607.0795

摘要

制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件，借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制，发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流( SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大，完善了电子传输的导电细丝通道，器件实现了由高阻态向低阻态的转变；在反向电压作用下，导电通道断裂，器件恢复到高阻态。