分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究

• 作者: 周旭昌 左大凡 张阳 李东升 李艳辉 杨春章 覃钢 谭英 齐航
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 碲镉汞 原位As掺杂 退火
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 105-109
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2910字
• 语种: 中文

摘要

报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果，进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究；分析了As束流对材料晶体质量的影响，结合SIMS测试技术得到了As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系；并利用傅里叶红外光谱仪、X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征，结果显示利用 MBE 方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜；进一步研究了As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳辉		14	24	3.0	4.0
2	杨春章		8	12	2.0	3.0
3	谭英		5	9	2.0	3.0
4	张阳		8	5	2.0	2.0
5	李东升		27	43	3.0	4.0
6	覃钢		8	9	2.0	2.0
7	周旭昌		8	18	2.0	3.0
8	左大凡		4	2	1.0	1.0
9	齐航		2	7	2.0	2.0