AlGaN中Mg掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响

• 作者: 张强 李明山 许并社 马淑芳
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD p型AlGaN Mg掺杂 正向电压
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 577-581,587
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg掺杂的优化条件.结果表明,在生长p型AlGaN电子阻挡层的Cp2Mg流量为300 cm3/min时,蓝光发光二极管获得最小正向电压VF,而且在此掺杂流量下的多量子阱蓝光发光二极管芯片发光强度明显高于其他流量的样品.因此可以通过优化AlGaN电子阻挡层的掺杂浓度,来显著提高多量子阱蓝光发光二极管的电学性能和光学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许并社	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	335	3432	28.0	45.0
2	张强	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	23	27	3.0	4.0
3	马淑芳	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	14	132	4.0	11.0
7	李明山	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0