晶圆边缘离子平均入射角度数值模拟研究

• 作者: 冯涓 武园浩 段文睿 韩文彬
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶圆边缘 离子平均入射角度 双频容性耦合等离子体 刻蚀腔室
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺设备
• 页码范围: 231-237
• 分类号: O539
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.02.19

摘要

针对晶圆边缘非垂直刻蚀剖面问题,对300 mm双频容性耦合等离子体刻蚀机晶圆边缘离子平均入射角度的分布特性进行了数值模拟研究.采用流体动力学模型求解等离子体宏观特性,氩气作为工艺气体,以一个射频周期内平均离子通量的矢量方向近似为离子平均入射角度,研究发现:边缘效应导致的晶圆边缘鞘层畸变是引起离子平均入射角度偏斜垂直方向的主要原因;晶圆外伸量与可利用半径近似呈负相关关系,且只会影响晶圆边缘向内约10～ 15 mm区域的离子平均入射角度分布;上接地板半径和喷淋头半径影响范围较大,在晶圆半径超过100 mm外均有较大影响;适当增大上接地板半径有利于提高离子平均入射角度的垂直性和增大晶圆的有效利用面积,而喷淋头半径在略小于晶圆半径时较佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武园浩	清华大学机械工程系	8	8	2.0	2.0
2	冯涓	清华大学精密超精密制造装备及控制北京市重点实验室	16	166	5.0	12.0
3	段文睿	清华大学精密超精密制造装备及控制北京市重点实验室	5	34	2.0	5.0
4	韩文彬	清华大学机械工程系	3	2	1.0	1.0